7月4日，东丽宣布成功开发出新型光敏聚酰亚胺“STF-2000”。该産品基于东丽先进的高灵敏度负性配方和专有的光刻胶设计技术，可在厚度达200μm的薄膜上实现30μm线宽的精细化加工（深宽比达7）。与此同时，还可实现L/S=4μm以下的高分辨率图案，有望应用于新型MEMS器件（包含了传感器等微机电系统）开发。值得一提的是，该産品符合欧盟等地的环保法规，不含N-甲基吡咯烷酮（NMP）和全氟/多氟烷基物质（PFAS）。预计量产时间为2025年，厚膜片型的开发也在推进。

無需升級光刻系統，降低企業技術升級成本

STF-2000在使用標准曝光系統（H線）且無需特殊設備的情況下即可形成各種複雜圖案。也就是說，東麗的新品無需升級至KrF或ArF等昂貴的光刻系統，可直接在現有産線部署。這大幅降低了企業（尤其是中小型廠商）的技術升級成本。

东丽是全球正性光敏聚酰亚胺産品市场化最成功的企业之一。从此次公布的新産品特性来看，这一基于负性配方的産品结合了两种光敏聚酰亚胺的多重优势。

堿性水溶液顯影，實現深寬比達7的精細微加工

東麗最新發布的STF-2000采用堿性水溶液顯影，能實現深寬比達7的精細微加工，也可應用于以往聚酰亞胺所應用的膜厚10~30μm的區域，同時保留了該材料在結構上的固有優勢，包括優異的耐熱性和耐化學性、力學性能、絕緣性和抗X射線。

在半導體加工中，光刻膠和PSPI均可用于圖形形成工藝。但二者的根本區別在于：PSPI最終會作爲聚酰亞胺薄膜集成到電子器件中，而光刻膠在工藝完成後將被去除。因此，PSPI的設計必須兼顧以下兩個關鍵要素：1.成像性能（靈敏度、分辨率、顯影系統、熱處理條件（酰亞胺化）等）；2.薄膜特性（機械強度、電學性能、尺寸穩定性、粘附性、純度）。同時滿足這兩大性能要求，被視爲PSPI開發的重要方向。

此前，傳統的負性光敏聚酰亞胺（n-PSPI）無論在光刻精度還是環境友好性方面均不及正性光敏聚酰亞胺（p-PSPI）。這主要體現在：1.p-PSPI具有更高的感光度，可實現厚膜加工，通過提供有效的應力緩解、簡化制造流程、改善結構完整性和提升電氣特性等方式，對半導體器件的整體性能做出了貢獻；2.使用堿性水溶液顯影，不僅更好的環境兼容性還避免了有機顯影液對PI光刻圖形的侵蝕，圖形分辨率高；3.可從傳統的非光敏PI/正性光刻膠工藝進行移植，不需要複雜的工藝及設備改進。

东丽PSPI材料産品已广泛应用于多领域

在推出支持200μm厚膜加工的STF-2000之前，东丽曾于2022年，推出一款低热膨胀、低介电常数与介质损耗的全新负性PSPI材料，并支持100μm厚膜加工，这一点克服了大量用于绝缘层的负型光敏聚酰亚胺涂覆材料因光透射率低导致厚度超过50μm时感光性下降、无法精细加工，以及硬化后热应力高、翘曲量大、加工可靠性降低等问题；同年，东丽相继实现不含NMP的光敏聚酰亚胺材料的商业化，该类PSPI産品通过应用增强光透明度技术可实现高厚度膜层制备，厚度为同类産品的两倍多即超过15μm。

目前，东丽商品化的PSPI材料産品牌号为PHOTONEECE™，主要包括正性的PW系列和LT系列，以及负性的PN系列等，已广泛应用于半导体/电子元件的保护膜或缓冲膜、晶圆级/面板级封装再布线层、电子元件层间绝缘材料等。

此外，在正性産品方面，在早期的PW-1000牌号之后，东丽针对图像传感器领域推出了具有高透明性、高折射率、高感光度及良好化学稳定性的CS系列正性PSPI産品；针对显示器件领域还推出了具备较低固化温度、高分辨率、良好的粘附性与化学稳定性的DL系列和SL系列正性PSPI産品。而LT系列是东丽针对下一代半导体制造应用需求，开发出的固化温度低和残留应力低的高端正性PSPI産品。负性産品方面，东丽主要推出了可低温固化的PN系列産品，该类负性PSPI的固化温度低、收缩率低、热稳定性高。

来源：化工新材料、慧正資訊